8”立式炉
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  • 应用范围



设备型号:M51200-1/UM

主要用于半导体器件制程中的掺杂、氧化、推阱、退火、合金、薄膜沉积等工艺。



详情1
  • 内容2
  • 序号

    指标名称

    主要技术指标

    1

    晶圆尺寸

    8英寸

    2

    最高温度

    1100℃(石英)

      1250℃(碳化硅)

    3

    控温精度

    ≤±0.5

    4

    温度均匀性

    ≤±1

    5

    升温速率

    0-10/min

    6

    最大装载量

    170

    7

    有效工作区域

    Φ230mm×780mm

    8

    温区数量

    5

    9

    气路数量

    4

    10

    片内均匀性(WIW

    2%

    11

    片间均匀性(WTW

    2%

    12

    批间均匀性(RTR

    2%

    13

    新增颗粒

    50(≥0.16μm

    30(≥0.2μm

    14

    金属污染

    <5E10 atms/cm2

  • 参数
  • 主要用于半导体器件制程中的掺杂、氧化、推阱、退火、合金、薄膜沉积等工艺。

  • 范围4
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