立式炉
核心卖点
产品简介
主要用于半导体器件制程中的掺杂、氧化、推阱、退火、合金、薄膜沉积等工艺。
产品特点
技术参数
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序号 |
指标名称 |
主要技术指标 |
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1 |
晶圆尺寸 |
8英寸 |
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2 |
最高温度 |
1100℃（石英） |
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1250℃（碳化硅） |
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3 |
控温精度 |
≤±0.5℃ |
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4 |
温度均匀性 |
≤±1℃ |
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5 |
升温速率 |
0-10℃/min |
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6 |
最大装载量 |
170片 |
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7 |
有效工作区域 |
Φ230mm×780mm |
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8 |
温区数量 |
5 |
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9 |
气路数量 |
4 |
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10 |
片内均匀性（WIW） |
≤2% |
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11 |
片间均匀性（WTW） |
≤2% |
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12 |
批间均匀性（RTR） |
≤2% |
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13 |
新增颗粒 |
≤50（≥0.16μm） ≤30（≥0.2μm） |
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14 |
金属污染 |
<5E10 atms/cm2 |
应用范围
主要用于半导体器件制程中的掺杂、氧化、推阱、退火、合金、薄膜沉积等工艺。