SiC高温氧化炉

应用于SiC MOSFET或IGBT器件低缺陷界面和高通道迁移率的栅氧生长工艺；也可用于其他高温氧化工艺。

双层真空密封结构，温度和气流均勻性佳；
高洁净热场材料体系避免高温金属和颗粒沾污；
可实现低压、干氧、NO等多种气氛处理工艺；
具备在线金属离子清洗功能。

最大晶圆片尺寸：6";
最大载片量：50片/批；
工艺温度:800°C~1500°C;
恒温区长度：250mm;
控温精度：≤±1°C;
温度均勻性：≤±5°C；
工艺气体：Ar、N2、H2、O2、NO、N2O等；
工艺压力：100mbar~l个大气压；
片内/片间膜厚均勻性：±2.5%