用于SiC器件高温退火离子激活工艺,可适用于各种碳膜保护下的工艺要求。
高纯特殊处理热场材料,器件品质及良率高; 垂直升降装卸片和自动送片系统; 温场和流场耦合设计,均勻性优良; 大生产工艺验证,工艺重复性和稳定性优异。
最大晶圆尺寸:6"; 最大载片量:50片/批; 典型工艺温度:1000°C~1900°C; 恒温区长度:250mm; 控温精度:≤±1°C; 炉内温度均匀性:≤±5°C; 最大升温速率:100°C/min。