立式LPCVD
核心卖点
产品简介
应用于集成电路制造中的监膜氧化层、多晶硅淀积；适用工艺有TEOS、Poly、SiN。
产品特点
全自动传送，定位精准，稳定可靠；
高洁净工艺环境；
设备内部形成局部净化环境，有效控制污染；
工艺气体充分预热，气氛均匀，精确温控；
薄膜均匀性佳。
技术参数
晶片尺寸：8*（兼容6*）；
典型工艺温度：500℃~800℃；
恒温区长度：≥560mm；
单点温控精度：≤±0.5℃；
最大载片量：170片；
极限真空：≤20 mtorr；
新增颗粒：≤30（≥0.2μm）；
金属污染：＜5E 10atm/cm²