应用于宽禁带半导体器件、电力电子器件、光电子等行业氮化硅、多晶硅或氧化硅薄膜的制备；适用工艺有LPCVD。
温度控制采用串级控制方式，对基片实际温度进行实时智能控制；
装载采用SiC悬臂桨，避免了与工艺管摩擦产生粉尘。
晶片尺寸：2*~6*；
工艺温度：500℃~900℃；
工艺管路：1~4管；
恒温区长度：800mm~1000mm。
