MBE+MOCVD集成解决方案
核心卖点
产品简介
高端化合物半导体外延全面解决方案，解决部分高端器件难题，提升外延质量、效率和良率。
产品特点
· 生产能力：最大8×6英寸/批
· MBE、MOCVD实现高温真空互连
· 实现不同基片托盘上衬底的高效转移
· 可自由切换MBE、MOCVD、MBE+MOCVD三种工作模式
· 可配置衬底预处理、存储等功能模块
技术参数
应用范围
· GaN射频器件、长波VCSEL、DFB激光器、超宽禁带半导体器件等
· 生产能力：最大8×6英寸/批
· MBE、MOCVD实现高温真空互连
· 实现不同基片托盘上衬底的高效转移
· 可自由切换MBE、MOCVD、MBE+MOCVD三种工作模式
· 可配置衬底预处理、存储等功能模块
· GaN射频器件、长波VCSEL、DFB激光器、超宽禁带半导体器件等