M82200-10UM型PECVD 镀膜设备

M82200-10/UM型PECVD镀膜设备采用直接式等离子体沉积方式，可生产出质量极佳的晶体硅太阳能电池减反射膜，是业内管径、单管产能最大的管式镀膜设备。

单台（5管）产能≥3600片/小时（单管装片416片/批）；

沉膜均匀性好，膜厚均匀性指标可达：片内≤3％、片间≤3％、批间≤3％；

350～580℃控温范围，同时满足沉积氮化硅膜和退火工艺要求；

采用全套倍福控制系统，自动化程度高（提供MES接口、远程监控等功能）；

全自动上下舟系统，一键全自动工艺和完善的保护报警功能；

送料机构强度、精度、速度、稳定性大幅优于同类产品。

基本参数	成膜种类	氮化硅
	装片量与产能	416 片/批（156x156mm 方片），单台5管产能≥3600片/小时；
	在线时间	≥98%；
	设备功率	峰值功率≤280KW，平均功率≤70KW；
	设备尺寸	7400mm（不含真空泵）×2110mm×3530mm（L×W×H）；
成膜质量参数	成膜均匀性	片内≤4％、片间≤3％、批间≤3％（膜厚80～120nm）；
成膜质量参数	折射率均匀性	片内≤1.5％、片间≤1.5％、批间≤1.5％（折射率2～2.2）；
温控系统参数	恒温区长度及精度	≤±1℃/1600mm （450℃时）；
	温度控制范围	200～580℃；
	温度控制方式	五段双回路温度控制；
真空系统参数	压力控制	高精度VAT阀控制，控压范围220±40Pa；
石墨舟传输系统参数	石墨舟上料方式	全自动机械手上下舟，在线式/离线式对接插片机可选；
控制系统参数	推舟机构	水平速度1~12000mm/min可调，垂直速度1~150mm/min可调，承重≥40KG；
控制系统参数	控制方式	高性能工控计算机全自动控制工艺过程，并对工艺参数和工艺流程实时监控；
基本参数	在线时间	≥98%；
	设备功率	峰值功率≤280KW，平均功率≤70KW；
	设备尺寸	7400mm（不含真空泵）×2110mm×3530mm（L×W×H）；

M82200-10/UM型PECVD镀膜设备采用直接式等离子体沉积方式，可生产出质量极佳的晶体硅太阳能电池减反射膜，是业内管径、单管产能最大的管式镀膜设备。

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