利用半导体材料压阻效应原理,采用先进的离子注入工艺和微机械加工工艺,制成了具有惠斯顿电桥和精密力学结构的硅敏感元件,结合半导体封装工艺制作而成的一体化压力感测元件。宽温区的隔离封装、订制型的接口外形,精密的温度补偿和线性调理,实现对介质压力的精确测量。
1、宽温区,工作温度范围可达到-55℃~150℃;
2、提供双O圈、焊接型、材料订制型(316L、钛合金等)等产品;
3、长寿命、重复性好、漂移小、可靠性高;
4、提供Φ19×15、Φ13×8、Φ15.6×11.5等尺寸。
测量范围: 0~5kPa…70MPa
压力类型: 绝压、密封表压、表压可选
过载范围: 200%FS
精度: 0.2%,0.1%
重复性: ±0.01%FS
输入激励: ≤2mA或≤10VDC
零点输出: ±2mV
满量程输出: 60mV~120mV
桥阻范围: 3kΩ~6kΩ
电气输出形式: 柯伐合金或AF250导线
工作温度: -55℃/-40℃~125℃/150℃
温度漂移: 0.03%FS/℃
压力密封形式: O圈密封、焊接密封可选
绝缘电阻: ≥500MΩ/100VDC
长期稳定性: ≤0.1%FS/Y
航空航天、石油化工、工业自动化控制、汽车、普通及特殊气体、液体的压力测量等。