半导体工艺设备
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SiC高温退火炉
- 产品简介
- 产品特点
- 技术参数
- 应用范围
用于SiC器件高温退火离子激活工艺，可适用于各种碳膜保护下的工艺要求。
- 高纯特殊处理热场材料，器件品质及良率高；
垂直升降装卸片和自动送片系统；
温场和流场耦合设计，均勻性优良；
大生产工艺验证，工艺重复性和稳定性优异。 
- 最大晶圆尺寸：6"；
最大载片量：50片/批；
典型工艺温度:1000°C~1900°C;
恒温区长度：250mm;
控温精度：≤±1°C；
炉内温度均匀性:≤±5°C；
最大升温速率：100°C/min。 
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