M5111-8WKUM型高温负压氧化炉设备
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M5111-8WKUM型高温负压氧化炉设备

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  • 产品简介
  • 产品特点
  • 技术参数
  • 应用范围
高温氧化炉是半导体器件加工中的典型热处理设备,用于集成电路、分立器件、太阳能光伏行业中进行氧化、退火、合金及烧结等工艺。
详情1
  • 高产能,单管产能可达1600片/批;
    温控系统性能出色,采用可预测型五段双回路智能温控系统以及新型炉体,控温精度和回温性能优异;
    全套倍福系统及总线控制方式,可靠性和信息化化性能优异;
    自动上下料系统,采用全自动上下料、在线式插取片对接系统,扩展了设备自动化程度,降低人工劳动强度,减少人工污染。
  • 内容2
  • 产能

    硅片尺寸

    156×156mm方片

    单管装片量

    1600片/批(槽间距2.38mm

    工艺类型

    高温氧化、退火工艺

    温度控制系统

    控温方式

    5段双回路串级控制

    控温范围

    600℃~1100℃

    恒温区长度及精度

    ≤±0.5℃/1600mm(801℃~1100℃)

    ≤±1℃/1600mm(400℃~800℃)

    单点稳定性

    ±0.5℃/24h(静态,900℃)

    炉体升降温速率

    最大升温20˚C/min;最大降温5˚C/min

    气路系统

    流量控制方式

    氮气、氧气流量由MFC控制;保护氮气由浮子流量计控制

    气体控制精度

    ±0.5%FS

    送舟机构

    水平推舟速率

    1~400mm/min 连续可调,定位精度≤±1mm

    垂直升降速率

    812mm/min

    石英舟进出方式

    软着陆、在线式(净化台侧出舟)

    SiC桨最大承载

    25Kg

    控制系统

    工艺监控方式

    工业平板电脑全自动控制(触摸屏操作)

    自动控温功能

    具有自动斜率升降温及恒温功能

    工艺历史记录功能

    核心工艺参数(温度、压力、流量、功率、电流、淀积时间)每3秒记录一次,其他过程每10秒记录一次。

    报警保护功能

    设备具有工艺状态声光提醒,以及计算机异常、超温报警与欠温、MFC偏差、反应室压力偏差、极限超温报警和保护功能;

    其他参数

    设备峰值功率

    280 KVA(5管

    保温功率

    75 KVA(5管

    设备柜体尺寸

    7440mm(长)×2020mm(宽)×3530(高)

    设备利用率

    ≥98%


  • 参数
  •   扩散炉是半导体加工中的典型热处理设备,用于集成电路、分立器件、太阳能光伏行业中进行P掺杂、B掺杂、氧化、合金、退火等工艺
  • 范围4
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