M82200-10UM型PECVD 镀膜设备
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M82200-10UM型PECVD 镀膜设备

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  • 产品简介
  • 产品特点
  • 技术参数
  • 应用范围
M82200-10/UM型PECVD镀膜设备采用直接式等离子体沉积方式,可生产出质量极佳的晶体硅太阳能电池减反射膜,是业内管径、单管产能最大的管式镀膜设备。
详情1
  • 单台(5管)产能≥3600片/小时(单管装片416片/批);
    沉膜均匀性好,膜厚均匀性指标可达:片内≤3%、片间≤3%、批间≤3%;
    350~580℃控温范围,同时满足沉积氮化硅膜和退火工艺要求;
    采用全套倍福控制系统,自动化程度高( 提供MES接口、远程监控等功能);
    全自动上下舟系统,一键全自动工艺和完善的保护报警功能;
    送料机构强度、精度、速度、稳定性大幅优于同类产品。
  • 内容2
  • 基本参数

    成膜种类

    氮化硅

    装片量与产能

    416 片/批(156x156mm 方片),单台5管产能≥3600/小时;

    在线时间

    98%

    设备功率

    峰值功率280KW,平均功率≤70KW

    设备尺寸

    7400mm(不含真空泵)×2110mm×3530mmL×W×H);

    成膜质量参数

    成膜均匀性

    片内≤4%、片间≤3%、批间≤3%(膜厚80120nm);

    折射率均匀性

    片内≤1.5%、片间≤1.5%、批间≤1.5%(折射率22.2);

    温控系统参数

    恒温区长度及精度

    ≤±1/1600mm 450℃时);

    温度控制范围

    200~580℃;

    温度控制方式

    五段双回路温度控制;

    真空系统参数

    压力控制

    高精度VAT阀控制,控压范围220±40Pa;

    石墨舟传输系统参数

    石墨舟上料方式

    全自动机械手上下舟,在线式/离线式对接插片机可选;

    控制系统参数

    推舟机构

    水平速度1~12000mm/min可调,垂直速度1~150mm/min可调,承重≥40KG

    控制方式

    高性能工控计算机全自动控制工艺过程,并对工艺参数和工艺流程实时监控;

    基本参数

    在线时间

    98%

    设备功率

    峰值功率280KW,平均功率≤70KW

    设备尺寸

    7400mm(不含真空泵)×2110mm×3530mmL×W×H);


  • 参数
  • M82200-10/UM型PECVD镀膜设备采用直接式等离子体沉积方式,可生产出质量极佳的晶体硅太阳能电池减反射膜,是业内管径、单管产能最大的管式镀膜设备。

  • 范围4
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