半导体工艺设备
半导体工艺设备
中国电科48所半导体工艺设备事业部专注于微电子与半导体装备的研发和制造，设备涵盖薄膜制备、掺杂、刻蚀、烧结、激光焊接等领域，是四十八所半导体设备研发的核心力量。目前研发设备已广泛应用于电子、船舶、兵器
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SiC高温氧化炉
应用于SiCMOSFET或IGBT器件低缺陷界面和高通道迁移率的栅氧生长工艺；也可用于其他高温氧化工艺。
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立式炉
主要用于半导体器件制程中的掺杂、氧化、推阱、退火、合金、薄膜沉积等工艺。
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激光封焊机
通过在气氛保护环境中，将高强度激光束直接辐射至材料表面，通过激光与材料的相互作用，使材料局部熔化实现焊接。能够满足封装高气密性需求。
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磁控溅射沉积设备（科研生产型）
磁控溅射设备是一种多功能、高效率的镀膜设备。可以在陶瓷、玻璃、石英、硅片等基底材料上溅镀金属、非金属、氧化物、介质等材料的薄膜,如:Au、Al、NiCr、TiW、Si、Al2O3、Si3N4、ZnO、ITO..
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磁控溅射沉积设备（连续生产型）
磁控溅射设备是一种多功能、高效率的镀膜设备。可以在陶瓷、玻璃、石英、硅片等基底材料上溅镀金属、非金属、氧化物、介质等材料的薄膜,如:Au、Al、NiCr、TiW、Si、Al2O3、Si3N4、ZnO、ITO..
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SiC外延炉
第三代宽紧带半导体SiC材料的同质外延生长。 超快速高质量外延生长能力；优良的生长厚度和掺杂浓度均匀性控制水平；满足向大尺寸、厚外延、低缺陷SiC外延材料发展需求。
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