卧式氧化炉

应用于集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光导纤维等行业的扩散、氧化、退火、合金和烧..

SiC高温退火炉

用于SiC器件高温退火离子激活工艺，可适用于各种碳膜保护下的工艺要求。

SiC高温氧化炉

应用于SiCMOSFET或IGBT器件低缺陷界面和高通道迁移率的栅氧生长工艺；也可用于其他高温..

立式炉

主要用于半导体器件制程中的掺杂、氧化、推阱、退火、合金、薄膜沉积等工艺。