应用于宽禁带半导体器件、电力电子器件、光电子等行业氮化硅、多晶硅或氧化硅薄膜的制备；..
应用于集成电路制造中的监膜氧化层、多晶硅淀积；适用工艺有TEOS、Poly、SiN。
第三代宽紧带半导体SiC材料的同质外延生长。 超快速高质量外延生长能力；优良的生长厚度..
