应用于宽禁带半导体器件、电力电子器件、光电子等行业氮化硅、多晶硅或氧化硅薄膜的制备;..
应用于集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光导纤维等行业的扩散、氧化、退火、合金和烧..
应用于集成电路制造中的监膜氧化层、多晶硅淀积;适用工艺有TEOS、Poly、SiN。
应用于HgCdTe材料外延生长。
用于SiC电力电子器件制造。通过向SiC材料选择性注入掺杂元素如B、AI、N,形成p-n结或调控器..
用于SiC器件高温退火离子激活工艺,可适用于各种碳膜保护下的工艺要求。